Half-cut cell format with 9 busbars and smart soldering
Larger 182mm M10 wafer
12-year product warranty
30-year performance warranty
84.9% remaining power after 30-years
Gallium-Doped Silicon
ซิลิคอนเจือแกลเลียม
LONGi Solar ร่วมมือกับ Shin-Etsu Chemical Co ในต้นปี 2020 เพื่อผลิตเซลล์ซิลิคอนเจือแกลเลียมใหม่จำนวนมาก ซึ่งอ้างว่าลดผลกระทบจากการเสื่อมสภาพที่เกิดจากแสง (LID) ในซิลิคอน PERC ชนิด P ทั่วไปได้อย่างมาก
LID หรือการเสื่อมสภาพที่เกิดจากแสงเป็นปรากฏการณ์ที่รู้จักกันดีซึ่งทำให้สูญเสียพลังงาน 2-3% ในช่วงสองสามร้อยชั่วโมงแรกของการทำงาน อันเนื่องมาจากปริมาณออกซิเจนที่เหลืออยู่ในระหว่างกระบวนการผลิตของซิลิคอนเจือโบรอนทั่วไป ตลอดอายุการใช้งานที่เหลืออยู่ของแผงควบคุม ความสูญเสียอันเนื่องมาจาก LID ลดลงอย่างมากที่ประมาณ 0.5% ถึง 0.8% ต่อปี ขึ้นอยู่กับคุณภาพและความบริสุทธิ์ของผลึกซิลิกอน
LONGi Solar’s improved performance warranty with Gallium doped Silicon - Image credit LONGi Sola ผู้ผลิตแผงโซลาร์เซลล์ส่วนใหญ่ใช้เวเฟอร์ซิลิกอนชนิด P ชนิดเจือโบรอน ซึ่งหมายความว่าโดยทั่วไปการรับประกันประสิทธิภาพจะมีพลังงานสะสมอยู่ที่ประมาณ 82% หลังจากใช้งานไป 25 ปี ด้วยความเสถียรที่เพิ่มขึ้นของซิลิคอนที่เจือด้วยแกลเลียม LONGi สามารถลดผลกระทบของ LID ในปีแรกเป็น 2% และน้อยกว่า 0.5% ต่อปีสำหรับอายุการใช้งานที่เหลืออยู่ของแผง ทำให้แผงคงรักษาไว้ได้เกือบ 85% อัตรากำลังเดิมหลังจากระยะเวลา 30 ปีอีกต่อไป
เทคโนโลยีการบัดกรีอัจฉริยะ
ผู้ผลิตหลายรายที่ใช้เทคโนโลยีมัลติบัสบาร์ (MBB) ที่ใช้กันทั่วไปในปัจจุบันได้พัฒนาวิธีการลดช่องว่างระหว่างเซลล์เพื่อเพิ่มพื้นที่ผิวและเพิ่มประสิทธิภาพ LONGi Solar ยกระดับสิ่งนี้ไปอีกระดับด้วยการพัฒนาสิ่งที่เรียกว่า 'เทคโนโลยีการบัดกรีอัจฉริยะ' ซึ่งใช้ไมโครบัสบาร์รูปทรงสามเหลี่ยมอันเป็นเอกลักษณ์พร้อมปลายแบนเพื่อลดช่องว่างระหว่างเซลล์และเพิ่มประสิทธิภาพ